Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (3) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Dranchuk M$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 3 Представлено документи з 1 до 3 |
|||
| 1. | 
Dranchuk M. V. Effect of substrate temperature on structural, optical and electrical properties of al-doped zinc oxide thin films deposited by layer-by-layer method at magnetron sputtering [Електронний ресурс] / M. V. Dranchuk, A. I. Ievtushenko, V. A. Karpyna, O. S. Lytvyn, V. R. Romanyuk, V. M. Tkach, V. A. Baturin, O. Y. Karpenko, V. M. Kuznetsov, V. I. Popovych // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2015. - Т. 12, № 1. - С. 5-12. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2015_12_1_3 Легированные алюминием тонкие пленки ZnO (AZO) выращены на кремниевых и стеклянных подложках с помощью метода послойного роста в магнетронном распылении при разной температуре подложки. Анализ с помощью атомно-силовой микроскопии показал, что пленки AZO являются очень гладкими со средним значением среднеквадратичной шероховатости 2,3 нм. В результате проведения энерго-дисперсионного рентгеновского анализа установлено, что содержание алюминия в пленках AZO составляет примерно 1 ат. %. Рентгеновские исследования показали, что все легированные алюминием пленки ZnO является поликристаллическими с гексагональной структурой вюрцита с осью с ориентированной перпендикулярно плоскости пленки (002). Оптические измерения показали, что все только выращенные пленки имеют высокую прозрачность (84 %) в видимой области спектра и имеют энергетическую щель 3,34 - 3,41 эВ, что свидетельствует о их хорошем оптическом качестве. Наименьшее значение сопротивления составило <$E1,7~cdot~10 sup -2 ~roman {Ом~cdot~см}> для пленки AZO, выращенной при температуре подложки <$E350~symbol Р roman C>. | ||
| 2. | 
Myroniuk D. V. Effect of electron irradiation on transparent conductive films ZnO:Al deposited at different power sputtering [Електронний ресурс] / D. V. Myroniuk, A. I. Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. T. Maslyuk, I. I. Timofeeva, V. A. Baturin, O. Y. Karpenko, V. M. Kuznetsov, M. V. Dranchuk // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 3. - С. 286-291. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_3_10 Transparent conductive oxide thin films of Al-doped ZnO grown by rf magnetron sputtering were irradiated with high energy electrons with the energy 12,6 MeV and fluence <$E5~cdot~10 sup 14> e/cm<^>2 | ||
| 3. | 
Popovych V. I. Effect of argon deposition pressure on the properties of aluminum-doped ZnO films deposited layer-by-layer using magnetron sputtering [Електронний ресурс] / V. I. Popovych, A. I. Ievtushenko, O. S. Lytvyn, V. R. Romanjuk, V. M. Tkach, V. A. Baturyn, O. Y. Karpenko, M. V. Dranchuk, L. O. Klochkov, M. G. Dushejko, V. A. Karpyna, G. V. Lashkarov // Ukrainian journal of physics. - 2016. - Vol. 61, № 4. - С. 325-330. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2016_61_4_7 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |